Numéro d'article | JAN2N6251 |
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État de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 10A |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 350V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.67A, 10A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1mA |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 6 @ 10A, 3V |
Puissance - Max | 5.5W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-3 |
Package de périphérique fournisseur | TO-3 (TO-204AA) |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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