Numéro d'article | JANTX1N5531B-1 |
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État de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 80 Ohm |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50nA @ 9.9V |
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package de périphérique fournisseur | DO-204AH (DO-35 Glass) |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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