Numéro d'article | JANTXV2N2060 |
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État de la pièce | Discontinued at Digi-Key |
Type de transistor | 2 NPN (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 10µA (ICBO) |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Puissance - Max | 600mW |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-78-6 Metal Can |
Package de périphérique fournisseur | TO-78-6 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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