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| Numéro d'article | MASMBJ2K3.3E3 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type | Zener |
| Canaux unidirectionnels | 1 |
| Canaux bidirectionnels | - |
| Tension - Inverser l'écart (Typ) | 3.3V |
| Tension - Panne (Min) | 4.6V |
| Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 5.8V |
| Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) | 10A (8/20µs) |
| Puissance - Impulsion de crête | 2000W (2kW) |
| Protection de ligne électrique | No |
| Applications | General Purpose |
| Capacité @ Fréquence | - |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | DO-214AA, SMB |
| Package de périphérique fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA
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