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| Numéro d'article | MBR30200CTE3/TU |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Configuration de diode | 1 Pair Common Cathode |
| Type de diode | Schottky |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) | 15A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 15A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 200V |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-220-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220AB |
Fabricant: GeneSiC Semiconductor
La description: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
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Fabricant: GeneSiC Semiconductor
La description: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
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Fabricant: GeneSiC Semiconductor
La description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER
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Fabricant: GeneSiC Semiconductor
La description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER
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Fabricant: GeneSiC Semiconductor
La description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
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Fabricant: GeneSiC Semiconductor
La description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
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Fabricant: GeneSiC Semiconductor
La description: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER
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Fabricant: GeneSiC Semiconductor
La description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER
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Fabricant: GeneSiC Semiconductor
La description: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER
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Fabricant: GeneSiC Semiconductor
La description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER
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