provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Numéro d'article | UPT33E3/TR7 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type | Zener |
| Canaux unidirectionnels | 1 |
| Canaux bidirectionnels | - |
| Tension - Inverser l'écart (Typ) | 33V |
| Tension - Panne (Min) | 36.8V |
| Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 56.7V |
| Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) | 2.65A |
| Puissance - Impulsion de crête | 1000W (1kW) |
| Protection de ligne électrique | No |
| Applications | General Purpose |
| Capacité @ Fréquence | - |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | DO-216AA |
| Package de périphérique fournisseur | Powermite 1 (DO216-AA) |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 33VWM POWERMITE
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 33VWM POWERMITE
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 33VWM 56.7VC PWRMITE1
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 33VWM POWERMITE
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 33VWM POWERMITE
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 33VWM POWERMITE
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 33VWM 56.7VC PWRMITE1
En stock: 0
