Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - IGBT - Simples RJH60F6DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America RJH60F6DPQ-A0#T0

Numéro d'article
RJH60F6DPQ-A0#T0
Fabricant
Renesas Electronics America
La description
IGBT 600V 85A 297.6W TO247A
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - IGBT - Simples
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

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Paramètre du produit
Numéro d'article RJH60F6DPQ-A0#T0
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 85A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 45A
Puissance - Max 297.6W
Échange d'énergie -
Type d'entrée Standard
Charge de porte -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 58ns/131ns
Condition de test 400V, 30A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 90ns
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247A
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