Numéro d'article | RF1603ASQ |
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État de la pièce | Active |
Fréquence - Basse | DC |
Fréquence - Upper | 2.5GHz |
Isolement @ Fréquence | 28dB @ 3.5GHz (typ) |
Perte d'insertion @ Fréquence | 0.7dB @ 3.5GHz |
IIP3 | 73dBm (typ) |
Topologie | Reflective |
Circuit | SP3T |
P1dB | - |
Caractéristiques | DC Blocked |
Impédance | 50 Ohm |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C |
Tension - Alimentation | 2.2 V ~ 2.7 V |
Type RF | CDMA, GSM, EDGE, W-CDMA |
Paquet / cas | 12-UFQFN Exposed Pad |
Package de périphérique fournisseur | 12-QFN (2.5x2.5) |
Fabricant: Rohm Semiconductor
La description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
En stock: 715
Fabricant: Rohm Semiconductor
La description: DIODE GEN PURP 200V 1A MSR
En stock: 0
Fabricant: Rohm Semiconductor
La description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
En stock: 0
Fabricant: Rohm Semiconductor
La description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
En stock: 0
Fabricant: Rohm Semiconductor
La description: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS
En stock: 0