transphorm is a global semiconductor company that develops gallium nitride (gan) fets for high-voltage power conversion applications.
| Numéro d'article | TPH3212PS |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 400uA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1130pF @ 400V |
| Vgs (Max) | ±18V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 17A, 8V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220 |
| Paquet / cas | TO-220-3 |
