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| Numéro d'article | SI7463DP-T1-E3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 40V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2 mOhm @ 18.6A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
| Paquet / cas | PowerPAK® SO-8 |
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
En stock: 3000
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
En stock: 15000
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
En stock: 0
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
En stock: 0
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
En stock: 0
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
En stock: 0
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
En stock: 0
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
En stock: 9000
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
En stock: 27000
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
En stock: 6000
