Numero di parte | AON5802B |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1150pF @ 15V |
Potenza - Max | 1.6W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DFN-EP (2x5) |
fabbricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN
Disponibile: 0
fabbricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN
Disponibile: 0