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| Numero di parte | DMP1055UFDB-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.8nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1028pF @ 6V |
| Potenza - Max | 1.36W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type B) |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
Disponibile: 12000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Disponibile: 8802000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 8V 10A
Disponibile: 1053000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3
Disponibile: 3000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Disponibile: 10000
