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| Numero di parte | DMT2004UFG-13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.45V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1683pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 12A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET NCH 24V 14.1A UDFN2020
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET NCH 24V 14.1A UDFN2020
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
Disponibile: 9000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
Disponibile: 2000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI5060
Disponibile: 7500
