Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF FMMTH10TC

Diodes Incorporated FMMTH10TC

Numero di parte
FMMTH10TC
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
TRANSISTOR RF NPN SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Numero di parte FMMTH10TC
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Frequenza - Transizione 650MHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 3dB ~ 5dB @ 500MHz
Guadagno -
Potenza - Max 330mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 25mA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3
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