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| Numero di parte | GA05JT12-247 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 106W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 5A |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AB |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: TRANS SJT 100V 9A
Disponibile: 89
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: TRANS SJT 300V 9A
Disponibile: 64
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: TRANS SJT 1200V 5A
Disponibile: 0
