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| Numero di parte | 62-0136PBF |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3710pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 19A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO
Disponibile: 0
