Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli 64-2105PBF

Infineon Technologies 64-2105PBF

Numero di parte
64-2105PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 120A TO-262
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Numero di parte 64-2105PBF
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4340pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 mOhm @ 75A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-262
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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