Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF BFP640E6327BTSA1

Infineon Technologies BFP640E6327BTSA1

Numero di parte
BFP640E6327BTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
TRANSISTOR NPN SIGE RF SOT-343
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Numero di parte BFP640E6327BTSA1
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 4.5V
Frequenza - Transizione 40GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Guadagno 24dB
Potenza - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 30mA, 3V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 50mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT343-4
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