Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli IGW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies IGW50N65F5FKSA1

Numero di parte
IGW50N65F5FKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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In stock 167 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    1.74500/pcs
  • 10 pcs

    1.70000/pcs
  • 100 pcs

    1.39270/pcs
  • 500 pcs

    1.18559/pcs
  • 1,000 pcs

    0.99989/pcs
Totale:1.74500/pcs Unit Price:
1.74500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IGW50N65F5FKSA1
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 80A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Potenza - Max 305W
Cambiare energia 490µJ (on), 160µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 120nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 21ns/175ns
Condizione di test 400V, 25A, 12 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3
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