Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IPA80R1K0CEXKSA1

Infineon Technologies IPA80R1K0CEXKSA1

Numero di parte
IPA80R1K0CEXKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Numero di parte IPA80R1K0CEXKSA1
Stato parte Discontinued at Digi-Key
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 785pF @ 100V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 3.6A, 10V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220 Full Pack
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
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