Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IRF9530NSPBF

Infineon Technologies IRF9530NSPBF

Numero di parte
IRF9530NSPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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In stock 2465 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.67500/pcs
  • 10 pcs

    0.63350/pcs
  • 100 pcs

    0.50085/pcs
  • 500 pcs

    0.38843/pcs
  • 1,000 pcs

    0.30666/pcs
Totale:0.67500/pcs Unit Price:
0.67500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IRF9530NSPBF
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 8.4A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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