Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array SMBT3904SE6327HTSA1

Infineon Technologies SMBT3904SE6327HTSA1

Numero di parte
SMBT3904SE6327HTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Numero di parte SMBT3904SE6327HTSA1
Stato parte Obsolete
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
Potenza - Max 330mW
Frequenza - Transizione 300MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT363-6
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