Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Array FII50-12E

IXYS FII50-12E

Numero di parte
FII50-12E
fabbricante
IXYS
Descrizione
IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Array
IXYS

IXYS

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Numero di parte FII50-12E
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT NPT
Configurazione Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 50A
Potenza - Max 200W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 30A
Corrente - Limite del collettore (max) 400µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso i4-Pac™-5
Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUS i4-PAC™
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