Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IXFX64N60P

IXYS IXFX64N60P

Numero di parte
IXFX64N60P
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
IXYS

IXYS

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In stock 2305 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    8.95500/pcs
  • 10 pcs

    8.51000/pcs
  • 100 pcs

    7.23350/pcs
Totale:8.95500/pcs Unit Price:
8.95500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IXFX64N60P
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12000pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1040W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 96 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PLUS247™-3
Pacchetto / caso TO-247-3
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