Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF 0912-25

Microsemi Corporation 0912-25

Numero di parte
0912-25
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 125W 2.5A 55CT1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Parametro del prodotto
Numero di parte 0912-25
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 55V
Frequenza - Transizione 960MHz ~ 1.215GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) -
Guadagno 8.5dB ~ 10dB
Potenza - Max 125W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 300mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 2.5A
temperatura di esercizio 200°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso 55CT
Pacchetto dispositivo fornitore 55CT
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