Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Diodi - Raddrizzatori - Singoli 1N5553US

Microsemi Corporation 1N5553US

Numero di parte
1N5553US
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 215 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    6.71000/pcs

  • 10 pcs

    6.10050/pcs

  • 25 pcs

    5.64300/pcs

  • 100 pcs

    5.18545/pcs

  • 250 pcs

    4.72788/pcs

  • 500 pcs

    4.42286/pcs
Totale:6.71000/pcs Unit Price:
6.71000/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte 1N5553US
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 800V
Corrente - Rettificato medio (Io) 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 9A
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 800V
Capacità @ Vr, F -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitore B, SQ-MELF
Temperatura operativa - Giunzione -65°C ~ 175°C
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