Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli 2N3636

Microsemi Corporation 2N3636

Numero di parte
2N3636
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS PNP 175V 1A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 1996 pz
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6.54925/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte 2N3636
Stato parte Active
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 175V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 10V
Potenza - Max 1W
Frequenza - Transizione -
temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore TO-39
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