Microsemi Corporation 3135GN-170M

Numero di parte: 3135GN-170M
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - RF

Microsemi Corporation

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Parametro del prodotto

Numero di parte	3135GN-170M
Stato parte	Active
Transistor Type	2 N-Channel (Dual) Common Source
Frequenza	3.1GHz ~ 3.5GHz
Guadagno	11.5dB ~ 11.8dB
Voltaggio - Test	60V
Valutazione attuale	5mA
Figura di rumore	-
Corrente - Test	500mA
Potenza - Uscita	185W
Tensione - Rated	150V
Pacchetto / caso	55QP
Pacchetto dispositivo fornitore	55QP

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3135-1-00-15-00-00-08-0

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