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| Numero di parte | APT12067B2FLLG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4420pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 565W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670 mOhm @ 9A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247
Disponibile: 60
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
Disponibile: 1
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
Disponibile: 28
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
Disponibile: 0
