Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli APT20M22B2VRG

Microsemi Corporation APT20M22B2VRG

Numero di parte
APT20M22B2VRG
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Numero di parte APT20M22B2VRG
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 435nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10200pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore T-MAX™ [B2]
Pacchetto / caso TO-247-3 Variant
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