Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APT35GP120J

Microsemi Corporation APT35GP120J

Numero di parte
APT35GP120J
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 64A 284W SOT227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 35 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    19.31000/pcs

  • 10 pcs

    17.86050/pcs

  • 25 pcs

    16.41240/pcs

  • 100 pcs

    15.25380/pcs

  • 250 pcs

    13.99874/pcs
Totale:19.31000/pcs Unit Price:
19.31000/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte APT35GP120J
Stato parte Active
Tipo IGBT PT
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 64A
Potenza - Max 284W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 35A
Corrente - Limite del collettore (max) 250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 3.24nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso ISOTOP
Pacchetto dispositivo fornitore ISOTOP®
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