Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APTGT30H170T3G

Microsemi Corporation APTGT30H170T3G

Numero di parte
APTGT30H170T3G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 482 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
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    28.15825/pcs
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28.15825/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte APTGT30H170T3G
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Full Bridge Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 45A
Potenza - Max 210W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
Corrente - Limite del collettore (max) 250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP3
Pacchetto dispositivo fornitore SP3
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