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| Numero di parte | APTGV50H60BG |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo IGBT | NPT, Trench Field Stop |
| Configurazione | Boost Chopper, Full Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80A |
| Potenza - Max | 176W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP4 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP4 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP2
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD IGBT NPT 1200V 130A SP3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT NPT PHASE 1200V 130A SP3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 130A 735W SP1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 135A 568W SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3
Disponibile: 0
