Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli APTM120DA68T1G

Microsemi Corporation APTM120DA68T1G

Numero di parte
APTM120DA68T1G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Numero di parte APTM120DA68T1G
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6696pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 816 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SP1
Pacchetto / caso SP1
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