Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array APTM50AM38SCTG

Microsemi Corporation APTM50AM38SCTG

Numero di parte
APTM50AM38SCTG
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 197 pz
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66.36485/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte APTM50AM38SCTG
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 90A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 246nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11200pF @ 25V
Potenza - Max 694W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP4
Pacchetto dispositivo fornitore SP4
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