Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array APTMC120AM09CT3AG

Microsemi Corporation APTMC120AM09CT3AG

Numero di parte
APTMC120AM09CT3AG
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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446.79980/pcs
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Parametro del prodotto
Numero di parte APTMC120AM09CT3AG
Stato parte Active
Tipo FET 2 N Channel (Phase Leg)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 295A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 40mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 644nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11000pF @ 1000V
Potenza - Max 1250W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP3
Pacchetto dispositivo fornitore SP3
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