Numero di parte | JANTX2N6299 |
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Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 16mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 4A, 3V |
Potenza - Max | 64W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-213AA, TO-66-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Disponibile: 87
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Disponibile: 100
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Disponibile: 39
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Disponibile: 36
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Disponibile: 4