Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array SG2823J

Microsemi Corporation SG2823J

Numero di parte
SG2823J
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Numero di parte SG2823J
Stato parte Active
Transistor Type 8 NPN Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 95V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Corrente - Limite del collettore (max) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Potenza - Max -
Frequenza - Transizione -
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso -
Pacchetto dispositivo fornitore 18-CDIP
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