Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array PMGD780SN,115

Nexperia USA Inc. PMGD780SN,115

Numero di parte
PMGD780SN,115
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Nexperia

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte PMGD780SN,115
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 490mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 920 mOhm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.05nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 23pF @ 30V
Potenza - Max 410mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSSOP
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fabbricante: Nexperia USA Inc.

Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP

Disponibile: 3000

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