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| Numero di parte | 2SK932-23-TB-E |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 15V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 10mA @ 5V |
| Scarico corrente (Id) - max | 50mA |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 200mV @ 100µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | 200mW |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-CP |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: JFET N-CH 50MA 200MW CP
Disponibile: 3000
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: JFET N-CH 50MA 200MW CP
Disponibile: 3000
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: JFET N-CH 50MA 200MW CP
Disponibile: 3000
