Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli STGY80H65DFB

STMicroelectronics STGY80H65DFB

Numero di parte
STGY80H65DFB
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
IGBT 650V 120A 469W MAX247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 1405 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    7.15500/pcs
  • 10 pcs

    6.57600/pcs
  • 100 pcs

    5.55380/pcs
  • 500 pcs

    4.94051/pcs
Totale:7.15500/pcs Unit Price:
7.15500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte STGY80H65DFB
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 120A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Potenza - Max 469W
Cambiare energia 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 414nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 84ns/280ns
Condizione di test 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 85ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore MAX247™
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