STMicroelectronics STH110N7F6-2

Numero di parte: STH110N7F6-2
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

STMicroelectronics

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Numero di parte	STH110N7F6-2
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	68V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5850pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3 mOhm @ 55A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	H2Pak-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB