Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STI360N4F6

STMicroelectronics STI360N4F6

Numero di parte
STI360N4F6
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 2500 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    2.72000/pcs
  • 10 pcs

    2.56450/pcs
  • 100 pcs

    2.10280/pcs
  • 500 pcs

    1.70275/pcs
  • 1,000 pcs

    1.43605/pcs
Totale:2.72000/pcs Unit Price:
2.72000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte STI360N4F6
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 340nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 17930pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 mOhm @ 60A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK (TO-262)
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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