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| Numero di parte | CSD18536KTTT |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Ta), 279A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11430pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 100A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DDPAK/TO-263-3 |
| Pacchetto / caso | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
fabbricante: Tripp Lite
Descrizione: 10-DEVICE DESKTOP USB CHARGING S
Disponibile: 0
fabbricante: Hoffman Enclosures, Inc.
Descrizione: BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W
Disponibile: 2
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Disponibile: 72000
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
Disponibile: 0
