Toshiba Semiconductor and Storage RN1963(TE85L,F)

Numero di parte: RN1963(TE85L,F)
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati

Toshiba Semiconductor and Storage

toshiba semiconductor & storage offers a broad range of enabling technology solutions that allow oems, odms, cms and fabless chip companies to develop advanced integrated products for the computing, networking, communications, digital consumer, automotive and other markets.

In stock 7500 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
0.04410/pcs
3,000 pcs
0.04410/pcs

Totale:0.04410/pcs

Unit Price:

0.04410/pcs

Etichetta del prezzo:

Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	RN1963(TE85L,F)
Stato parte	Active
Transistor Type	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistore - Base (R1) (Ohm)	22k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm)	22k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione	250MHz
Potenza - Max	200mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore	US6