Toshiba Semiconductor and Storage RN2969(TE85L,F)

Numero di parte: RN2969(TE85L,F)
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati

Toshiba Semiconductor and Storage

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Numero di parte	RN2969(TE85L,F)
Stato parte	Active
Transistor Type	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistore - Base (R1) (Ohm)	47k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm)	22k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione	200MHz
Potenza - Max	200mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SC-101, SOT-883
Pacchetto dispositivo fornitore	US6