Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60W,S1VF

Numero di parte: TK31N60W,S1VF
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Toshiba Semiconductor and Storage

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In stock 237 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
4.65000/pcs
30 pcs
3.81100/pcs
120 pcs
3.43917/pcs
510 pcs
2.88145/pcs

Totale:4.65000/pcs

Unit Price:

4.65000/pcs

Etichetta del prezzo:

Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	TK31N60W,S1VF
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 300V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	Super Junction
Dissipazione di potenza (max)	230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	88 mOhm @ 15.4A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247
Pacchetto / caso	TO-247-3