Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IRFIB6N60APBF

Vishay Siliconix IRFIB6N60APBF

Numero di parte
IRFIB6N60APBF
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

In stock 2300 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    2.18500/pcs

  • 10 pcs

    2.06100/pcs

  • 100 pcs

    1.69010/pcs

  • 500 pcs

    1.36859/pcs

  • 1,000 pcs

    1.15423/pcs
Totale:2.18500/pcs Unit Price:
2.18500/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IRFIB6N60APBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 3.3A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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