Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array SI6926ADQ-T1-E3

Vishay Siliconix SI6926ADQ-T1-E3

Numero di parte
SI6926ADQ-T1-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SI6926ADQ-T1-E3
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 830mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP
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