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| 部品番号 | 2N5116 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS） | 30V |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | - |
| 電流 - ドレイン（Idss）Vds（Vgs = 0） | 5mA @ 15V |
| 電流ドレイン（Id） - 最大 | - |
| 電圧 - カットオフ（VGSオフ）@ Id | 1V @ 1nA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 25pF @ 15V |
| 抵抗 - RDS（オン） | 150 Ohm |
| 電力 - 最大 | 500mW |
| 動作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-18 |
